سامسونگ با حل مشکلات تولید، به‌دنبال جذب مشتریان TSMC است

پیش‌از‌این برخی گزارش‌ها به مشکلات TSMC در بهبود بازدهی فرایند ۳ نانومتری این شرکت اشاره کرده بودند. حالا به‌نطر می‌رسد سامسونگ در این رقابت موفق شده است رقیب تایوانی خود را شکست دهد. جدیدترین گزارش غول فناوری کره‌ای نشان می‌دهد بازدهی لیتوگرافی ۳ نانومتری این شرکت بهبود یافته است و بر TSMC برتری دارد. البته این خبر دلیل پیروزی کامل سامسونگ درمقابل رقیب این شرکت نیست.

طبق گزارش KMIB، درحال‌حاضر نرخ بازدهی فرایند ۳ نانومتری سامسونگ به ۶۰ درصد می‌رسد که از بازدهی ۵۵ درصدی TSMC بیشتر است. دراین‌میان، اپل نیز بخش عمده‌ی ظرفیت تولید فرایند ۳ نانومتری شرکت تایوانی را برای خود رزرو کرده است. نرخ بازدهی فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ قبلاً ۷۰ درصد بود؛ بنابراین با مقایسه‌ی جدیدترین آمار و ارقام، پیشرفت این شرکت کمی کُند شده است که دلیل اصلی‌اش می‌تواند به افزایش حجم ویفرها ارتباط داشته باشد.

شرکت Hi Investment & Securities نیز گزارش داده است که سامسونگ علاوه‌بر بازدهی چشمگیر فرآیند ۳ نانومتری، نرخ بازدهی فرایند ۴ نانومتری خود را به ۷۵ درصد رسانده است؛ اما با TSMC در این بخش با نرخ بازدهی ۸۰ درصدی، عملکرد بهتری از رقیب کره‌ای خود دارد.

طبق برخی گزارش‌ها، خروجی ویفر ۳ نانومتری TSMC تا پایان سال ۲۰۲۳ به ۱۰۰ هزار واحد در هر ماه خواهد رسید؛ زیرا انتظار می‌رود تقاضای خرید آیفون ۱۵ بسیار زیاد باشد. بدین‌ترتیب، می‌توان انتظار داشت آمار بازدهی فرایند ۳ نانومتری شرکت تایوانی تا سه‌ماهه‌ی پایانی سال جاری بهبود درخورتوجهی یابد.

گفته می‌شود اولین تراشه‌های ساخته‌شده با فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ برای سازندگان سخت‌افزارهای استخراج رمزارز در نظر گرفته شده است؛ بنابراین، غول فناوری کره‌ای ابتدا سعی می‌کند اعتماد مشتریان را جلب و سپس بخشی از سهم بازار TSMC را ازآنِ خود کند.