احتمال تولید انبوه تراشههای 14 نانومتری بر مبنای نسل سوم FinFET توسط سامسونگ
سامسونگ و TSMC دو تولید کنندهی بزرگ تراشه در دنیا به شمار میروند؛ بطوریکه اکثر شرکتهای بزرگ دنیا برای تامین پردازندههای مورد استفادههاش در ابزارهای موبایل، به یکی از این دو شرکت وابسته هستند. کمپانی تایوانی TSMC اخیراً اعلام کرده است که تولید تراشههای مبتنی بر لیتوگرافی ۱۰ نانومتری را از سال جاری آغاز خواهد کرد. اما از آن سوی میدان خبر میرسد که ظاهراً تمرکز سامسونگ فعلاً بر روی بهبود نسل فعلی و لیتوگرافی ۱۴ نانومتری است.
سامسونگ با اگزینوس 7420 اولین تولیدکنندهای بود که دست به ساخت پردازندهای بر مبنای تکنولوژی ۱۴ نانومتری FinFET زد و حالا آماده است تا در رقابت با TSMC به تولید انبوه تراشههایی بر مبنای نسل سوم این تکنولوژی بپردازد. تکنولوژی بهبود یافته در نسل جدید موجب مصرف کمتر انرژی و پایین آمدن هزینههای تولید میشود.
سامسونگ به تازگی تولید انبوه تراشههای نسل دوم FinFET را که با نام (Low Power Plus (LPP شناخته میشوند را آغاز کرده است. ادعا میشود نسل دوم این پردازندهها نسبت به نسل اول ۱۵ درصد در مصرف انرژی بهینهتر باشند. پردازندههای اگزینوس 8890 و اسنپدراگون 820 قرار است از فرآیند تولید LPP بهرهمند باشند.
بائه یانگ-چنگ معاون تیم استراتژی بازاریابی سامسونگ میگوید:
ما قرار است یک فرآیند مشتق شده از فرآیند تولید چیپهای ۱۴ نانومتری نسل ۲ را توسعه بدهیم و به این وسیله در زمینهی تولید چیپهای موبایل در بازار حرف اول را خواهیم زد.
انتظار میرود فرآیندهای ۱۴ و ۱۶ نانومتری مدت زمان بیشتری نسبت به فرآیندهای پیشین در صنعت تولید تراشه استفاده شوند، چرا که کاهش اندازهی بیش از این میزان بسیار دشوار است.
بر اساس نظرات کارشناسان صنعت تولید پردازنده، سامسونگ و TSMC ابتدا نسل سوم تراشههای ۱۴ و ۱۶ نانومتری را توسعه خواهند داد و سپس به سراغ توسعهی تراشههای ۱۰ نانومتری خواهند رفت. حتی اگر این دو شرکت موفق به توسعهی تکنولوژی ۱۰ نانومتری هم بشوند، هنوز هم شرکتهای زیادی مشتری طراحی ۱۴ و ۱۶ نانومتری آنها خواند بود.
نظرات