سامسونگ تا سه سال دیگر تراشه فوق پیشرفته ۱٫۴ نانومتری میسازد
سامسونگ در رویداد SAFE 2026 که امروز در کرهی جنوبی برگزار شد، از دو لیتوگرافی ۲ و ۱٫۴ نانومتری برای تراشهها رونمایی کرد. کرهایها جزئیات مربوط به نقشهی راه تولید انبوه فناوریهای ساخت خود را تشریح کردند.
شین جونگ-شین، معاون اجرایی دفتر توسعهی پلتفرم طراحی سامسونگ، اعلام کرد که توسعهی لیتوگرافی ۱٫۴ نانومتری نسل اول با نام SF1.4 طبق برنامه پیش میرود. سامسونگ قصد دارد تولید انبوه تراشهها با این لیتوگرافی را در سال ۲۰۲۹ آغاز کند.
سامسونگ هماکنون در حال توسعهی نسل دوم لیتوگرافی ۱٫۴ نانومتری با نام +SF1.4 است که سال ۲۰۳۰ وارد فاز تولید انبوه میشود. این شرکت پیشتر قصد داشت تولید تراشههای ۱٫۴ نانومتری را در سال ۲۰۲۷ آغاز کند؛ اما این برنامه را برای تمرکز بر بهبود بازدهی فرآیندهای ۲ نانومتری، دو سال به تعویق انداخت.
پردازندهی اگزینوس ۲۶۰۰ که در سری گلکسی S26 استفاده میشود، نخستین محصول ساختهشده با لیتوگرافی ۲ نانومتری SF2 است. انتظار میرود پردازندهی اگزینوس ۲۷۰۰ که در سال ۲۰۲۷ با سری گلکسی S27 رونمایی میشود، از لیتوگرافی SF2P استفاده کند.
سامسونگ میگوید انتقال از فرآیند SF2 به SF2P منجر به افزایش ۱۵ درصدی سرعت کلاک و بهبود ۲۶ درصدی بهرهوری انرژی میشود.
سامسونگ همچنین در حال توسعهی نسلهای سوم و چهارم لیتوگرافی ۲ نانومتری با نام +SF2P و SF2X است. SF2X بهطور اختصاصی برای تراشههای عملکردمحور (HPC) طراحی شده و تولید انبوه این دو فناوری بین سالهای ۲۰۲۷ تا ۲۰۲۸ آغاز خواهد شد.