سامسونگ حافظه‌ فوق سریع eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی ۲۸ نانومتری به بازار عرضه می‌کند

سامسونگ، حافظه‌ی eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی ۲۸ نانومتری با فناوری تولید FD-SOI را معرفی کرد. پیش‌تر نیز اخباری در مورد حافظه فوق سریع MRAM برای گوشی و اینترنت اشیا منتشر شده بود. غول فناوری کره‌ای تاکنون اشاره‌ای به مشتریان محصول جدید خود نکرده است. 

سامسونگ پیش‌تر گفته بود که ماژول eMRAM می‌تواند به‌راحتی با فناوری 28FDS به تراشه اضافه شود و نیازی نیست که در مراحل ابتدایی فرایند تولید همانند تولید انبوه سیلیکون، FinFET و ترانزیستور FD-SOI یکپارچه‌سازی صورت گیرد. براساس اعلام سامسونگ، انتظار می‌رود اواخر سال جاری میلادی شاهد عرضه‌ی تراشه‌ی جدید با حافظه‌ی یک گیگابایتی eMRAM در بازار باشیم.

سامسونگ در رویداد IEDM ماه دسامبر، فناوری گشتاور انتقال چرخشی (STT) حافظه‌ی فوق سریع حافظه‌ی جدید خود را به‌همراه اتصالات تونل مغناطیسی MTJs در پلتفرم فناوری تولید FD-SOI مبتنی بر لیتوگرافی ۲۸ نانومتری توصیف کرد. STT-MRAM به‌عنوان بهترین فناوری MRAM از لحاظ مقیاس‌پذیری، وابستگی شکلی و مقیاس‌پذیری مغناطیسی در نظر گرفته می‌شود. 

اینتل رقیب سامسونگ، در کنفرانس 2019 ISSCC که اوایل سال جاری میلادی برگزار شد، جزئیات فناوری eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی ۲۲ نانومتری را معرفی کرد. این حافظه‌ی eMRAM قرار است در تراشه‌ی FinFET مورد استفاده قرار گیرد. همچنین در این رویداد بین‌المللی، اینتل اعلام کرد که قرار است تولید انبوه حافظه‌ی جدید eMRAM مبتنی بر لیتوگرافی ۲۲ نانومتری به‌زودی آغاز شود. برخی تحلیلگران بازار معتقدند که محصول جدید اینتل برای برخی مشتریان عرضه شده است. 

رایان لی، معاون مدیرعامل کارخانه‌ی سامسونگ اعلام کرد:

کارخانه‌ی سامسونگ، درکنار فرایند یکپارچه‌سازی eMRAM و استفاده از فناوری‌های جدید فعلی، قصد دارد همچنان به توسعه‌ی eNVM ادامه دهد تا از این طریق بتواند از مزایای رقابتی خاص و متمایزکننده‌ی خود، به‌همراه  قابلیت‌های تولید فوق‌العاده‌اش در جهت تأمین نیاز مشتریان و بازار استفاده کند.