سامسونگ تولید انبوه حافظهی فلش 256 گیگابایتی برای دستگاههای رده بالا را آغاز کرد
شرکت سامسونگ الکترونیک، صبح دیروز به طور رسمی اعلام کرد که شروع به تولید انبوه اولین حافظهی 256 گیگابایتی مبتنی بر نسل دوم استاندارد حافظهی ذخیرهسازی فلش جهانی (Universal Flash Storage 2.0) کرده است. این حافظهی فلش جدید، در نسلهای آیندهی دستگاههای هوشمند قابل حمل رده بالا (به اصطلاح پرچمدار) به کار گرفته خواهد شد.
شرکت سامسونگ قاطعانه اظهار میکند که حافظهی فلش یاد شده، عملکردی فراتر از حافظههای حالت جامد (SSD) مبتنی بر رابط SATA موجود در رایانههای شخصی را به ارمغان میآورد. حافظهی UFS جدید سامسونگ، سرعت دسترسی فوقالعاده سریعی را همراه با ظرفیت بالاتر، در یک تراشهی کوچک و فشرده ممکن میکند. حافظهی فلش آن مبتنی بر فناوری V-NAND سامسونگ بوده و دارای کنترلری با عملکرد فوقالعاده بالا است.
این حافظهی فلش جدید، میتواند به حداکثر سرعت خواندن تصادفی ۴۵۰۰۰ IOPS (تعداد عملیات ورودی یا خروجی در یک ثانیه) و سرعت نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰۰ IOPS دست یابد که دوبرابر سریعتر از حافظههای UFS نسل قبلی است. حافظهی ۲۵۶ گیگابایتی UFS 2.0، از دو خط انتقال داده برای خواندن ترتیبی به منظور فراهم آوردن حداکثر سرعت MB/s ۸۵۰ که تقریبا دوبرابر سریعتر از حافظههای حالت جامد مبتنیبر رابط ساتا در رایانههای شخصی است، بهره میبرد. این حافظه همچنین، از حداکثر سرعت نوشتن ترتیبی MB/s ۲۶۰ پشتیبانی میکند.
موارد یاد شده، حافظهی ۲۵۶ گیگابایتی UFS را قادر میسازد تا از پخش ویدیوهای 4K یکپارچه و قابلیتهای چند وظیفگی (Multitasking) در صفحه نمایشهای بزرگ دستگاههای هوشمند قابل حمل، مانند تماشای فیلم 4K در حالت صفحهی تقسیم شده (split screen) در حالی که به طور همزمان در حال جستجوی تصاویر یا دانلود کلیپهای ویدیویی هستید، پشتیبانی کند. دستگاههای هوشمند قابل حمل دارای حافظهی ۲۵۶ گیگابایتی UFS 2.0 سامسونگ، در سال آینده معرفی و وارد بازار خواهند شد و احتمالا در گلکسی نوت ۶ شاهد حضور آن خواهیم بود..
نظر شما کاربران عزیز در این باره چیست؟
نظرات