رجزخوانی اینتل: با لیتوگرافی ۱٫۸ نانومتری شکست TSMC را رقم می‌زنیم

بسیاری از تولیدکنندگان نیمه‌هادی درحال حرکت به سمت لیتوگرافی ۲ نانومتری هستند و در این بین، TSMC و اینتل بر سر اینکه کدام شرکت در چند سال آینده فناوری برتر را در اختیار خواهد داشت، در رقابت شدیدی هستند. شرکت تایوانی به مسیر فعلی خود اطمینان دارد، اما اینتل قصد دارد با ارائه‌ی فرایند تولید ۲ نانومتری پیش از هر شرکت دیگری، سلطه‌ی خود را در صنعت نیمه هادی دوباره تثبیت کند.

پت گلسینگر، مدیرعامل اینتل، ادعا کرده است که لیتوگرافی اختصاصی این شرکت با نام 18A (لیتوگرافی ۱٫۸ نانومتری) می‌تواند عملکرد بهتری نسبت به تراشه‌های ۲ نانومتری TSMC داشته باشد. این اظهارات در تضاد با ادعاهای اخیر رقیب تایوانی است. گلسینگر این اظهارات را در مصاحبه ای با Barrons مطرح کرد.

گلسینگر به نقشه‌ی راه آینده‌ی تیم آبی خوش‌بین است. تشدید رقابت بین اینتل و TSMC در بحبوحه‌ی افزایش تنش‌ها بین آمریکا و چین صورت می‌گیرد. TSMC به‌عنوان رهبر بازار نیمه‌هادی‌ها درحال‌حاضر تراشه‌های ۳ نانومتری برای گوشی آیفون و لپ تاپ مک بوک تولید می‌کند.

TSMC ادعا می‌کند که لیتوگرافی ۳ نانومتری بهینه‌سازی‌شده‌ی این شرکت به نام N3P عملکردی قابل مقایسه با لیتوگرافی 18A اینتل خواهد داشت. غول تایوانی انتظار دارد N3P را در نیمه دوم سال ۲۰۲۴ یعنی همزمان با عرضه‌ی فناوری اینتل 20A (۲ نانومتری) و 18A (۱٫۸ نانومتری) به تولید انبوه برساند.

TSMC اطمینان دارد که فرايند ۲ نانومتری N2، که برای سال ۲۰۲۵ برنامه‌ریزی شده است، عملکرد بهتری نسبت به N3P و 18A خواهد داشت. اپل احتمالاً اولین مشتری تراشه‌های ۲ نانومتری TSMC خواهد بود و از آن در گوشی آیفون ۱۷ پرو استفاده خواهد کرد.

از سویی دیگر اینتل، در فناوری‌های جدیدش برای اولین بار، ترانزیستورهای قدیمی FinFET را کنار گذاشته و از ترانزیستورهای جدید RibbonFET استفاده خواهد کرد که توان پردازشی بالاتر را با مصرف انرژی کمتر ممکن می‌کند.

اینتل و TSMC تنها شرکت‌هایی نیستند که برای ساخت تراشه‌های ۲ نانومتری آماده می‌شوند. سامسونگ می‌خواهد در سال ۲۰۲۵ تولید انبوه تراشه‌های ۲ نانومتری خود را آغاز کند. به نظر می‌رسد رقابت نزدیک غول‌های فناوری در سال‌های آینده دیدنی خواهد بود.