پردازنده‌های ۱٫۴ نانومتری سامسونگ در سال ۲۰۲۷ از راه می‌رسند

سامسونگ فاندری، زیرشاخه‌ی سامسونگ الکترونیکس که در صنعت تراشه فعالیت می‌کند، جدیدترین نقشه‌ی راه لیتوگرافی‌های خود را منتشر کرده است. این شرکت تولید لیتوگرافی SF2 (کلاس دو نانومتری) را در سال ۲۰۲۵ شروع می‌کند و لیتوگرافی SF1.4 (کلاس ۱٫۴ نانومتری) در سال ۲۰۲۷ از راه می‌رسد.

بر اساس گزارش انندتک، لیتوگرافی SF2 با فرض ثابت بودن سرعت کلاک و پیچیدگی تراشه، مصرف انرژی را ۲۵ درصد نسبت‌به SF3 پایین می‌آورد، قدرت را ۱۲ درصد بالا می‌برد و سطح تراشه را پنج درصد بیشتر می‌کند.

سامسونگ برای رقابتی‌تر کردن SF2 قصد دارد تراشه‌های مبتنی‌بر این لیتوگرافی را با استانداردهای مدرن نظیر LPDDR5x و HBM3P و PCIe Gen6 بسازد.

سامسونگ در سال ۲۰۲۶ پس از SF2 سراغ SF2P می‌رود که برای رایانش با قدرت بالا (HPC) بهینه خواهد شد. یک سال بعد، لیتوگرافی SF2A با تمرکز بر صنعت خودرو از راه می‌رسد. در همان زمان شاهد آغاز تولید انبوه لیتوگرافی SF1.4 خواهیم بود.

لیتوگرافی دو نانومتری سامسونگ تقریبا همزمان با لیتوگرافی TSMC N2 (کلاس دو نانومتری) از راه می‌رسد. اینتل گفته است که لیتوگرافی 20A (کلاس دو نانومتری) را تقریبا یک سال زودتر در دسترس مشتریانش قرار می‌دهد.

سامسونگ گفته است که به سرمایه‌گذاری در فناوری‌های فرکانس رادیویی ادامه می‌دهد. لیتوگرافی پنج نانومتری RF این شرکت در نیمه‌ی نخست ۲۰۲۵ آماده می‌شود. این لیتوگرافی درمقایسه‌با لیتوگرافی ۱۴ نانومتری RF مصرف انرژی را ۴۰ درصد کاهش می‌دهد و تراکم ترانزیستورها را حدودا ۵۰ درصد بالا می‌برد.

سامسونگ در سال ۲۰۲۵ تولید قطعات نیمه‌هادی گالیم نیترید (GaN) را نیز شروع می‌کند. از این تراشه‌ها در محصولات الکترونیکی و دیتاسنترها و صنعت خودرو استفاده خواهد شد. غول کره‌ای صنعت فناوری همچنین در پی گسترش خط تولید در کشورهای مختلف است.