اینتل از برنامه‌های بزرگ خود برای افزایش قدرت پردازنده‌ها تا سال ۲۰۲۵ خبر داد

سه‌شنبه ۲۳ آذر ۱۴۰۰ - ۱۸:۲۰
مطالعه 3 دقیقه
اینتل در پیروی از قانون مور، از برنامه‌های بزرگش برای پیشبرد حوزه‌ی ترانزیستور و تکنولوژی بسته‌بندی تراشه و فیزیک کوانتوم پرده برداشت که به‌گفته‌ی این شرکت، برای افزایش قدرت رایانشی تا سال ۲۰۲۵ بنیادی خواهند بود.
تبلیغات

اینتل در بیانیه‌ی مطبوعاتی اخیر خود در نشست بین‌المللی دستگاه‌های الکترونیکی IEEE، به‌طور مکرر به قانون مور اشاره کرده است که از توجه این شرکت به پیشرو‌بودن در حوزه‌های مختلف رایانشی مدرن حکایت می‌کند. طبق قانون مور، عملکرد کامپیوترها هم از‌نظر سرعت و هم از‌نظر قابلیت هر دو سال یک‌ بار دوبرابر می‌شود و این هم ناشی از پیشرفت‌های مختلف تکنولوژی، از‌جمله افزایش تعداد ترانزیستورهایی است که می‌توانند در دل یک ریزتراشه گنجانده شوند.

طبق اعلام اینتل، این شرکت بر چندین حوزه‌ی تحقیقاتی متمرکز است و به پیشرفت فراوانی در حوزه‌ی فناوری‌های مقیاس‌پذیر دست پیدا کرده است که به‌کمک آن‌ها می‌توان ترانزیستورهای بیشتری را در محصولات آینده ارائه کرد. مهندسان اینتل مدت‌ها است در تلاش برای دستیابی به راه‌حلی هستند تا تراکم رابط بین ماژول‌های روی تراشه را افزایش دهند و این میزان را دست‌کم ده‌ برابر کنند.

در این بیانیه، اینتل گفت که قصد دارد در رویداد Intel Accelerated که قرار است جولای ۲۰۲۲ (تیر ۱۴۰۱) برگزار شود، تکنولوژی بسته‌بندی جدیدی در تراشه‌ها موسوم به Foveros Direct را نیز رونمایی کند که با استفاده از تکنیک‌های پشته‌سازی سه‌بعدی، امکان طراحی ماژولار و انعطاف‌پذیری درخورتوجه در طراحی را برای تراشه‌های ساخت این شرکت به‌ارمغان می‌آورد. این غول دنیای فناوری از دیگر تولیدکنندگان خواسته است تا با همکاری یکدیگر، استانداردهای صنعتی و روش‌های آزمایش جدیدی ایجاد کنند که به‌موجب آن‌ها، امکان ایجاد اکوسیستم چیپلت پیوند هیبریدی جدیدی فراهم شود.

همچنین، اینتل به برنامه‌هایش برای افزایش قابلیت‌های تراشه‌های سیلیکونی و پیشبرد هرچه‌بیشتر قانون مور از‌طریق جای‌دادن ترانزیستورهای بیشتر در هر میلی‌مترمربع تراشه اشاره کرد که درنهایت، به افزایش قدرت پردازش بدون تغییر اندازه تراشه منجر می‌شود. این کار نیز از‌طریق روی‌هم‌گذاشتن چندین ترانزیستور سیموس (CMOS) انجام می‌شود که طبق وعده‌ی اینتل، مقیاس‌پذیری تراشه را بین ۳۰ تا ۵۰ درصد بهبود می‌بخشد.

علاوه‌بر‌این، اینتل در زمینه‌ی فناوری DRAM (حافظه دستیابی مستقیم پویا) نیز سخت مشغول کار است و امیدوار است با استفاده از مواد فروالکتریک جدید، بتواند سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات و حجم منابع حافظه را افزایش دهد. دستیابی به این پیشرفت می‌تواند به تقاضای روزافزون برای انجام محاسبات قدرتمند کامپیوتری، از اجرای بازی‌های سنگین گرفته تا هوش مصنوعی، پاسخ دهد.

اینتل وعده داده است تا با ترکیب یک ترانزیستور سیموس جدید و ویفر ۳۰۰ میلی‌متری، سرعت انتقال انرژی به پردازنده‌های خود را افزایش دهد و در‌عین‌حال، بهره‌وری انرژی و استفاده از فضای کمتر را در مادربردهای آینده بهبود بخشد.

در این رویداد، اینتل اولین دستگاه منطقی مدار چرخشی مگنتوالکتریک در دمای اتاق را نیز رونمایی کرد که گامی به‌سوی تولید نوع جدیدی از ترانزیستورها مبتنی‌بر آهن‌رباهای سوییچ‌ در مقیاس نانو است. از قرار معلوم، اینتل پس از عرضه‌ی موفقیت‌آمیز پردازنده‌های آلدرلیک و اعلام برنامه‌هایش برای سال آینده که شامل خط‌تولید جدیدی برای کارت‌های گرافیک مجزا می‌شود، عزمش را جزم کرده است تا از رقیبان پیشی بگیرد و می‌کوشد با برنامه‌های بسیار بزرگ‌تری که برای چند سال آینده در سر دارد، پیشرفت‌های مهمی در حوزه‌های مختلف رایانشی به‌ارمغان آورد.

تبلیغات
داغ‌ترین مطالب روز
تبلیغات

نظرات

تبلیغات