لیتوگرافی 10 نانومتری اینتل افزایش تراکم 2.7 برابری ترانزیستورها را نسبت به 14 نانومتری فراهم می‌کند

اینتل (Intel) برنامه‌ی گسترده‌ای برای کاهش لیتوگرافی پردازنده‌های خود داشت. با این حال ورود بزرگ‌ترین تولید‌کننده‌ی پردازنده در جهان به لیتوگرافی ۱۰ نانومتری با تاخیر‌های زیادی مواجه شد؛ در حالی که در طرف مقابل بسیاری از رقبای اینتل از لیتوگرافی ۱۰ نانومتری عبور کرده و AMD خود را برای عرضه‌ی پردازنده‌های ۷ نانومتری در سال آینده آماده می‌کند. 

اکنون به نظر می‌رسد که زمان عرضه‌ی پردازنده‌های ۱۰ نانومتری اینتل فرا رسیده است و به زودی شاهد ورود انبوه آن‌ها تا پایان سال جاری به بازار خواهیم بود. اما نکته‌ی مهم در خصوص اقدامات اخیر اینتل، توانایی‌های معماری ساخت جدید این شرکت است که به گفته‌ی موسسه‌ی Tech Insights که توانایی زیادی در مهندسی معکوس دارد، با کمک این لیتوگرافی قابلیت‌های زیادی در اختیار مهندسان اینتل خواهد بود.

کارشناسان پس از کالبد‌شکافی پردازنده‌ی دوهسته‌ای Core i3-8121U و بررسی آن زیر میکروسکوپ الکترونی، به نکات جالبی دست یافتند. مهم‌ترین قابلیت لیتوگرافی جدید اینتل امکان افزایش تراکم ترانزیستور‌ها تا ۲.۷ برابر فرآیند ساخت ۱۴ نانومتری است که به اینتل امکان تعبیه‌ی ۱۰۰.۸ میلیون ترانزیستور در هر میلی‌متر مربع را می‌دهد. با یک حساب ساده می‌توان متوجه شد که اینتل در حال حاضر در یک قطعه‌ی ۱۲۷ میلی‌متر مربعی پردازنده‌های رایج، توانایی استفاده از ۱۲.۸ میلیارد ترانزیستور را خواهد داشت.

طبق نتایج ارایه شده توسط Tech Insights، اینتل هم‌چنین از نسل سوم پردازش FinFET در ساخت پردازنده‌های کانن‌لیک خود بهره برده است. به لطف این بهبود، اینتل موفق به کاهش ابعاد دهانه‌ی سیم‌پیچی از ۷۰ به ۵۴ نانو‌متر (در فرآیند ساخت ۱۰ نانومتری برابر با ۶۴ نانومتر) شده است. 

صرفا با ورود هر تولیدکننده‌ای به لیتوگرافی ۱۰ نانومتری نمی‌توان برابری تکنولوژی ساخت محصولات را نتیجه گرفت. همانطور که مشاهده می‌شود و اینتل نیز پیش از این به آن اشاره کرده بود، فرآیند ساخت این شرکت نسبت به نمونه‌های رقیب پیشرفته‌تر است. مدیران اینتل پیش‌تر در رابطه با حرکت این شرکت به سمت لیتوگرافی جدید ۱۰ نانومتری گفته بودند:

نکته‌ای که بیش از هر چیزی اهمیت دارد، امکان افزایش تعداد ترانزیستور‌ها نسبت به مساحت در دسترس است. اما از نگاه دیگر محاسبه‌ی تعداد ترانزیستور‌ها و تقسیم آن‌ها بر مساحت پردازنده چندان کار درستی نیست زیرا موارد متعدد دیگری نیز وجود دارند که هنگام طراحی پردازنده باید آن‌ها را در نظر داشت؛ مولفه‌هایی مانند ظرفیت حافظه کش و توان پردازشی مد نظر. زمان آن رسیده است که به بهبود مولفه‌ای بپردازیم که چندین سال پیش فراموش شده است؛ افزایش چگالی ترانزیستور‌ها.

از نگاه اینتل فرآیند ساخت ۱۰ نانومتری این شرکت تنها به دلیل کاهش لیتوگرافی قابل توجه نیست، بلکه به دلیل افزایش تراکم ترانزیستور‌ها و در نهایت افزایش تعداد کلی آن‌ها، این فرآیند ساخت برتری‌های محسوسی در پی خواهد داشت.