قطعی شد؛ دولت آمریکا ۶٫۶ میلیارد دلار بودجه به بزرگترین رقیب اینتل میدهد
دولت ایالات متحده جزئیاتی را از برنامههای TSMC برای تأسیس مجتمع ساخت تراشهی جدید Fab 21 در نزدیکی فونیکس آریزونا منتشر کرده است. این شرکت قصد دارد تا پایان دهه، تراشههای خود را با فناوریهای پیشرفته A16 (کلاس ۱٫۶ نانومتری) و N2 (کلاس دو نانومتری) در آمریکا تولید کند.
براساس سند وزارت بازرگانی، TSMC و وزارت بازرگانی ایالات متحده بر سر ۶٫۶ میلیارد دلار کمک مستقیم و پنج میلیارد دلار وام تضمینشده تحت قانون CHIPS and Science Act برای ساخت Fab 21 در آریزونا به توافق رسیدند.
کل پروژهی Fab 21 حدود ۶۵ میلیارد دلار هزینه خواهد داشت و تا سال ۲۰۳۰ تکمیل خواهد شد. این کارخانهها بیش از ۶ هزار شغل مستقیم تولید و بیش از ۲۰ هزار شغل ساختوساز ایجاد خواهند کرد.
درحالحاضر، TSMC متعهد شده است که تراشههای خود را با پیشرفتهترین فناوری تولید شده تا به امروز، یعنی A16 در ایالات متحده تولید کند، هرچند این کار را حداقل سه سال پس از تولید انبوه آن در اواخر سال ۲۰۲۶ در تایوان آغاز خواهد کرد.
فرایند ۱٫۶ نانومتری TSMC، مانند کلاس دو نانومتری آن (N2 و N2P و N2X)، از ترانزیستورهای نانوشیت GAA استفاده میکند و یک سیستم تحویل توان پشتی منحصربهفرد بهنام Super Power Rail را اضافه میکند. این پیشرفت باعث افزایش عملکرد و کارایی نسبتبه N2P میشود و فرکانس تراشه را ضمن مصرف توان ۱۵ تا ۲۰ درصد کمتر، تا ۱۰ درصد افزایش میدهد.
دکتر سی.سی. وی، مدیرعامل TSMC گفت: «TSMC از همکاری مداوم با مشتریان، شرکا، جوامع محلی و دولت ایالات متحده قدردانی میکند. امضای این توافقنامه به ما کمک میکند تا توسعهی پیشرفتهترین فناوری ساخت نیمهرسانا در ایالات متحده را تسریع کنیم.»
کارخانهی Fab 21 سه فاز ساخت تراشه را در خود جای خواهد داد که هر کدام تراشههایی را با فناوریهای پردازشی مختلف تولید میکنند. فاز اول با فناوریهای چهار و پنج نانومتری در نیمهی اول ۲۰۲۵ راهاندازی میشود. فاز دوم با نود سه نانومتری از سال ۲۰۲۸ کار خود را آغاز میکند و فاز سوم تا پیش از ۲۰۳۰ به تولید تراشههای دو و ۱٫۶ نانومتری خواهد پرداخت.
دفتر برنامهی قانون CHIPS با رسیدن به مراحل ساخت، تولید و تجاریسازی، بودجهی مستقیم را برای هزینههای پروژهی TSMC Arizona آزاد خواهد کرد.