سامسونگ که پیشتر قصد داشت از دستگاههای پیشرفتهی لیتوگرافی فرابنفش با گشودگی دریچهی عددی بالا موسوم به High-NA EUV در تولید تراشههای ۲ و ۱٫۴ نانومتری استفاده کند، اکنون این اقدام را تا زمان توسعهی تراشههای یک نانومتری در سال ۲۰۳۰ به تعویق انداخته است.
هزینهی بسیار سنگین تجهیزات و آمادهنبودن زنجیرهی تأمین قطعات جانبی، از دلایل اصلی این تصمیم به شمار میروند. هر دستگاه High-NA EUV قیمتی بین ۳۵۰ تا ۴۰۰ میلیون دلار دارد که بار مالی سنگینی را حتی به بزرگترین تولیدکنندگان تراشه تحمیل میکند. بهعلاوه، اکوسیستم پشتیبان این فناوری از جمله ماسکها، پلیکولها و مواد تخصصی مورد نیاز هنوز به پختگی کامل نرسیدهاند.
پارک چانگمین، مدیر تیم توسعهی فرآیندهای ریختهگری در مرکز تحقیق و توسعهی نیمههادی سامسونگ، در جریان کنفرانس نسل بعدی لیتوگرافی و الگودهی ۲۰۲۶ این موضوع را رسما تأیید کرد: «سامسونگ استفاده تجاری و همهجانبه از تجهیزات لیتوگرافی High-NA EUV را تا زمان توسعهی فرآیند یک نانومتری خود به تعویق خواهد انداخت.»
در همین حال، رقبای این حوزه مسیرهای متفاوتی را در پیش گرفتهاند؛ اینتل استفاده از این تجهیزات گرانقیمت را برای لایههای خاصی از تراشههای کلاس دو نانومتری خود آغاز کرده است، در حالی که TSMC همانند سامسونگ، این ابزارها را فعلا برای بخش تحقیق و توسعه تهیه کرده و برنامهای برای استفادهی تجاری از آنها تا پیش از سال ۲۰۲۹ یا ۲۰۳۰ ندارد.
