براساس گزارش جدیدی از کرهجنوبی، واحد تولید تراشهی سامسونگ به نقطهعطفی مهم در تولید تراشههای ۴نانومتری مبتنیبر فناوری FinFET دست یافته؛ بهگزارش SEDaily، نرخ بازدهی فرآیند ۴نانومتری سامسونگ در تولید تراشه، اکنون از مرز ۸۰درصد عبور کرده؛ دستاوردی که نشان میدهد فرآیند تولید سامسونگ بهطور قطعی وارد «مرحلهی بلوغ و پایداری» شده است.
دستیابی به بازدهی ۸۰درصدی، سامسونگ را در موقعیتی استراتژیک قرار میدهد که بتواند برای تأمین تقاضای بیسابقهی شرکتهای بزرگ فناوری، رقابتی شانهبهشانه با رقیب اصلی خود، TSMC داشته باشد.
مجتمع تولیدی سامسونگ در پیونگتک که هماکنون تولید تراشههای ۵ و ۷نانومتری را نیز برعهده دارد، اکنون کاملا آماده است تا تراشههای ۴نانومتری را در اختیار سازندگان شتابدهندههای هوش مصنوعی و همچنین مشتریان حوزههای خودروسازی و موبایل قرار دهد. نکته قابل توجه اینکه فرآیند ۴نانومتری سامسونگ بهعنوان بلوک پایه برای تولید تراشههای حافظهی پیشرفتهی نسل ششمی HBM4 نیز مورد استفاده قرار میگیرد.
با گذشت ۶ سال از تجربهی تولید انبوه تراشههای ۴نانومتری، اکنون این فرآیند تکاملیافته و بالغ قرار است به سامسونگ کمک کند تا اثرات منفی ناشی از افزایش قیمت حافظه را محدود کند و در نیمهی دوم سال جاری میلادی، بار دیگر مسیر بازگشت به سودآوری را در پیش بگیرد.
