با توجه به مشکلات گرمایشی اسنپدراگون ۸۱۰ به همراه برخی ضعفها در وان ام ۹ اچتیسی، این گوشی هوشمند موفق نشد آنچنان که باید به موفقیت برسد. عدم موفقیت وان ام ۹ باعث سقوط ارزش سهام کمپانی به پایینترین میزان خود در طول تاریخ این کمپانی تایوانی رسید. همچنین اچتیسی با انتشار گزارش مالی مربوط به سه ماههی دوم، پس از چهار فصل متوالی که نشان از سوددهی داشت، دوباره خبر از ضرر داد. چر وانگ، مدیرعامل اچتیسی در کنفرانس ارائهی گزارش مالی کمپانی به سهامداران گفت که این کمپانی باید پرچمدار جدیدی را معرفی کند.
وانگ تولید یک گوشی هوشمند پرچمدار از سری Hero را به سهامداران وعده داده بود. پس از آن یکی از افشاکنندگان در حساب کاربری توییتر خود، پرچمدار جدید اچتیسی را یک گوشی فوق العاده خواند.
حال اطلاعات بیشتری از این گوشی هوشمند منتشر شده است. براساس شنیدهها گوشی هوشمند جدید اچتیسی، O2 نام دارد. این گوشی هوشمند از تراشهی اسنپدراگون ۸۲۰ کوالکام بهره خواهد برد که طی فرآیند FinFET و مبتنی بر لیتوگرافی ۱۴ نانومتری تولید خواهد شد. اسنپدراگون ۸۲۰ از وجود چهار هستهی پردازشی اختصاصی هایدرا که توسط کوالکام تولید شده، بهره خواهد برد. تراشهی جدید کوالکام قدرت پردازشی بالا را به همراه مصرف باتری پایین به ارمغان خواهد آورد. اطلاعات ارائه شده طراحی گوشی جدید اچتیسی را فلزی خواندهاند.
به نظر میرسد باید در فصل اول ۲۰۱۶ در انتظار گوشی هوشمند پرچمدار جدید اچتیسی باشیم.
بروزرسانی:
براساس اطلاعات جدید ارائه شده گوشی هوشمند پرچمدار اچ تی سی از وجود صفحهی نمایش ۶ اینچی با رزولوشن ۲۵۶۰ در ۱۴۴۰ برخوردار است که تراکم پیکسلی ۴۹۰ پیکسل در هر اینچ را برای این گوشی هوشمند به ارمغان آورده است. همانطور که پیش از این نیز اشاره کردیم تراشهی مورد استفاده در O2، اسنپدراگون ۸۲۰ خواهد بود که از وجود چهار هستهی پردازشی اختصاصی هایدرا و پردازندهی گرافیکی آدرنو ۵۳۰ در کنار حافظهی رم چهار گیگابایتی و حافظهی داخلی ۶۴ یا ۱۲۸ گیگابایتی بهره خواهد برد. دوربین پشتی رزولوشن ۲۰.۷ مگاپیکسلی و دوربین جلویی رزولوشن ۵ مگاپیکسل خواهد بود. با وجود حاشیهی باریک O2، ظرفیت باتری این گوشی ۳٫۵۰۰ میلی آمپر ساعت خواهد بود. همچنین این گوشی احتمالا از گواهی ضد آب و گرد و غبار بهره خواهد برد. به نظر میرسد این گوشی هوشمند از وجود بلندگوهای بوم ساند در پنل جلویی بهره خواهد برد.
نظرات