نوع حافظه | ||||
|---|---|---|---|---|
| نوع کاربری | اینترنال | |||
| فرم فکتور | 2280 M.2 | |||
| رابط اتصال | PCIe NVMe | |||
| توضیحات اتصال | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | |||
مشخصات فنی | ||||
| ظرفیت حافظه | 512 گیگابایت | |||
| نوع حافظه فلش | Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND | |||
| کنترلر | Phison E12 | |||
| سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات | 3400 مگابایت بر ثانیه | |||
| سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات | 2000 مگابایت بر ثانیه | |||
| سرعت خواندن تصادفی اطلاعات | 350,000IOPS | |||
| سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات | 300,000IOPS | |||
| DRAM | دارد | |||
| نوع DRAM | DDR4 | |||
| دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | |||
| ولتاژ عملیاتی | 3.3 ولت | |||
مشخصات فنی | ||||
| میانگین عمر | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW) | |||
قابلیتها | ||||
| پشتیبانی از NCQ | ندارد | |||
| پشتیبانی از TRIM | دارد | |||
| پشتیبانی از RAID | ندارد | |||
| پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | |||
| سیستم عامل‌های پشتیبانی شده | - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر | |||
| سایر قابلیتها | - دارای هیت‌سینک و مناسب کامپیوترهای دسکتاپ - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 درصد و دمای 40 درجه | |||
مشخصات فیزیکی | ||||
| ابعاد | 12.9 × 23.4 × 80.1 میلی‌متر | |||
| وزن | 45 گرم | |||
| نشانگر LED | ندارد | |||
