نوع حافظه | ||||
---|---|---|---|---|
نوع کاربری | اینترنال | |||
فرم فکتور | M.2 22110 | |||
رابط اتصال | PCIe NVMe | |||
توضیحات اتصال | PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b | |||
مشخصات فنی | ||||
ظرفیت حافظه | 960 گیگابایت | |||
نوع حافظه فلش | Samsung V-NAND 3-bit MLC | |||
کنترلر | Phoenix | |||
سرعت خواندن ترتیبی اطلاعات | 3000 مگابایت بر ثانیه | |||
سرعت نوشتن ترتیبی اطلاعات | 1200 مگابایت بر ثانیه | |||
سرعت خواندن تصادفی اطلاعات | 400,000IOPS | |||
سرعت نوشتن تصادفی اطلاعات | 38,000IOPS | |||
DRAM | دارد | |||
نوع DRAM | Samsung 1.5 GB LPDDR4 | |||
توان مصرفی | - 8 وات در حالت فعال - 2.6 وات در حالت Idle | |||
دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | |||
مشخصات فنی | ||||
میانگین عمر | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1366 ترابایت (TBW) | |||
قابلیتها | ||||
پشتیبانی از NCQ | ندارد | |||
پشتیبانی از TRIM | دارد | |||
پشتیبانی از RAID | ندارد | |||
پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | |||
رمزنگاری | AES 256-bit | |||
قابلیتها | ||||
تاییدیهها | - پشتیبانی از WWN - پشتیبانی از Garbage Collection - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه | |||
مشخصات فیزیکی | ||||
ابعاد | 38 × 22 × 110.2 ميلیمتر | |||
وزن | 20 گرم |