سامسونگ نسل سوم حافظه‌های رم Flashbolt HBM2E را معرفی کرد

سامسونگ نسل جدیدی از حافظه‌های رم HBM2E را با نام Flashbolt معرفی کرد که علاوه بر افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی، کارایی و بازدهی بالاتری هم دارند.

سامسونگ الکترونیکس به‌صورت رسمی از معرفی حافظه‌های رم Flashbolt به بازار خبر داد. محصولات جدید، نسل سوم حافظه‌های موسوم به High Bandwidth Memory 2E یا HBM2E هستند. محصول جدید کره‌ای‌ها با ارائه‌ی ۱۶ گیگابایت حافظه، کارایی قابل‌توجهی در سیستم‌های پردازشی بسیار قدرتمند HPC دارد و به تولیدکننده‌ها نیز امکان می‌دهد تا ابرکامپیوترهای خود را بسیار حرفه‌ای‌تر از گذشته توسعه دهند. حافظه‌ی جدید در کاربردهای تحلیل داده‌ی مبتنی بر هوش مصنوعی و سیستم‌‌‌های گرافیکی فوق پیشرفته نیز کاربرد بالایی دارد.

نسل جدید حافظه‌های HBM2E سامسونگ، ظرفیتی دوبرابر نسل قبلی موسوم به Aquabot 8GB دارد. حافظه‌ی جدید Flashbolt همچنین کارایی و بازدهی مصرف را به میزان قابل‌توجهی بهبود داده است که در سیستم‌های پردازش نسل آتی، بسیار مفید خواهد بود. ظرفیت ۱۶ گیگابایتی محصول جدید غول کره‌ای، با جانمایی هشت لایه قالب DRAM با ظرفیت ۱۶ گیگابیت و روش تولید ۱۰ نانومتر روی یک تراشه‌ی بافر حاصل شد.

پکیج HBM2E پس از اتصال لایه‌های ۱۶ گیگابیتی با روشی بسیار دقیق و به‌صورت اینترکانکت به بیش از ۴۰ هزار میکرو بامپ متصل می‌شود. درنهایت هر قالب ۱۶ گیگابایتی حاوی ۵۶۰۰ سوراخ میکروسکوپی مذکور است. حافظه‌ی رم فلش‌بولت سامسونگ، سرعت انتقال داده‌ی پایداری را تا ۳/۲ گیگابیت‌برقانیه ارائه می‌کند و از طراحی بهینه‌سازی‌شده‌ی مدار بهره می‌برد. به‌ازای هر مجموعه تراشه در حافظه‌ی مذکور، پهنای باند ۴۱۰ گیگابایت‌برثانیه حاصل می‌شود. به‌علاوه، هر حافظه می‌تواند از ۱۲ لایه‌ی حافظه‌ای بهره ببرد که ظرفیت ۲۴ گیگابایتی را برای هر مجموعه و در رابط باس ۱۰۲۴ بیتی به‌همراه خواهد داشت.

Samsung HBM2E

حافظه‌ی HBM2E جدید سامسونگ می‌تواند سرعت انتقال داده تا ۴/۲ گیگابیت‌برثانیه را به کاربر ارائه دهد که حداکثر سرعت انتقال داده محسوب می‌شود. درنتیجه در هر مجموعه تراشه می‌توان پهنای باند ۵۳۸ گیگابایت‌برثانیه را در کاربری‌های آتی انتظار داشت. چنین آماری، بهبود کارایی را به‌میزان ۱/۷۵ برابر نسبت به نسل قبلی Aqubolt با پهنای باند ۳۰۷ گیگابایت‌برثانیه نشان می‌دهد. چئول چوی، معاون ارشد اجرایی فروش و بازاریابی حافظه‌ی سامسونگ الکترونیکس، در بیانیه‌ی خبری معرفی حافظه‌ی جدید نوشت:

ما با معرفی سریع‌ترین DRAM جهان، قدم مهمی در بهبود نقش خود به‌عنوان بازیگر نوآور بازار برداشتیم. سامسونگ تلاش می‌کند تا در ادامه‌ی مسیر باز هم راهکارهایی متمایز به بازار حافظه ارائه داده و نقش خود را در بازار جهانی بیش‌ازپیش بهبود دهد.

سامسونگ تولید انبوه حافظه‌های خود را در نیمه‌ی اول سال جاری شروع می‌کند. آن‌ها در کنار نسل سوم، باز هم محصولات نسل دوم موسوم به Aquabolt را به بازار عرضه خواهند کرد. آن‌ها همچنین ارتباط خود را با شرکای اکوسیستم تقویت می‌کنند و در تلاش هستند تا راهکارهای HBM بیش‌ازپیش در بازار حرفه‌ای حافظه به‌کار گرفته شود. ظاهرا نسل بعدی پردازنده‌های گرافیکی حرفه‌ای انویدیا و AMD از راهکارهای حافظه‌ی HBM2E سامسونگ بهره خواهند برد.

منبع wccftech

از سراسر وب

  دیدگاه
کاراکتر باقی مانده

بیشتر بخوانید