توشیبا اولین حافظه‌ی 3D NAND خود را با ظرفیت ۱۲۸ گیگابیت رونمایی کرد

به نظر می‌رسد آینده دنیای حافظه‌ها در دستان فناوری 3D NAND است! سامسونگ ۶ ماه پیش اولین محصول مبتنی بر این فناوری را معرفی کرد، اما سایر کمپانی‌ها کمی از قافله عقب مانده بودند. امروز توشیبا با معرفی محصولی مبتنی بر فناوری 3D NAND نشان داد که برنامه‌های ویژه‌ای برای تولید این نوع از حافظه‌ها دارد. این کمپانی نمونه اولیه یک حافظه ۴۸ لایه‌ای ۱۲۸ گیگابیتی (۱۶ گیگابایت) را معرفی کرده است.

ساختار 3D NAND توشیبا BiCS نام دارد که مخفف عبارت Bit Cost Scaling به معنای «مقیاس‌بندی هزینه بیت» است. همچون ساختار TCAT که سامسونگ از آن در محصولش استفاده کرده، ساختار BiCS نیز طراحی قدیمی «گیت شناور» (Floating Gate) را رها کرده و از یک تله شارژ تولید شده از ماده عایق برای کاهش نشت الکترون استفاده می‌کند. با این حال از نقطه نظر ساختاری و امکان تولید، به نظر می‌رسد BiCS کاملا متفاوت از TCAT باشد.

در ابتدا توشیبا محصولات 3D NAND را در کارخانه شماره ۵ خود در یوکایچی ژاپن تولید خواهد کرد، اما به نظر می‌رسد کارخانه شماره ۲ نیز که در همین منطقه در حال احداث است، در نیمه اول سال ۲۰۱۶ برای تولید همین نوع حافظه‌ها مورد استفاده قرار خواهد گرفت که منجر به افزایش محصولات 3D NAND تولید شده توسط توشیبا خواهد شد. در حالی که نمونه‌های اولیه امروز راهی بازار شده‌اند، احتمالا محصولات نهایی یک سال بعد آماده فروش خواهند شد.

این احتمال وجود دارد که با توجه به آن که توشیبا مستقیما به سوی طراحی ۴۸ لایه‌ای رفته، سامسونگ نیز در سال جاری به سراغ همین طراحی برود. حتی می‌توان انتظار داشت، اینتل و میکرون نیز محصول خودشان را بر پایه‌ی این فناوری معرفی کنند. با این اوصاف به نظر می‌رسد سال آتی میلادی حافظه‌های 3D NAND راه خود را به گجت‌های ما باز کنند و کم‌کم جای فناوری قدیمی را بگیرند.