سامسونگ مدعی است می‌تواند تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی ۵ نانومتر تولید کند

سامسونگ در جریان برگزاری کنفرانس مدارات مجتمع علاوه بر اینکه از تراشه‌ی ۱۴ نانومتری خود با فرآیند تولید FinFET پرده برداشت، فناوری تولید تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی ۱۰ نانومتر را نیز نمایش داد. این کمپانی به این موضوع بسنده نکرده و مدعی شده که می‌تواند بدون بروز مشکلات بنیادی، تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی ۵ نانومتری را نیز تولید کند.

سامسونگ در جریان برگزاری کنفرانس مدارات مجتمع مدعی شد که می‌تواند بدون درگیر شدن با مشکلات بنیادی، تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی ۵ نانومتر را تولید کند.

کینام کیم، یکی از مدیران سامسونگ در جریان سخنرانی خود در این کنفرانس گفت:

برای تولید تراشه‌ها تا لیتوگرافی ۵ نانومتری مشکلی وجود ندارد.

به‌نظر می‌رسد کره‌ای‌ها راهی را یافته‌اند که با استفاده از آن می‌توان سایز تولید تراشه‌ها را تا میزان بسیار زیادی کاهش داده و به ۳.۲۵ نانومتر رساند. مشخص نیست که سامسونگ از چه ماده‌ای برای دست یافتن به این رکورد استفاده کرده است. اینتل به‌عنوان یکی از سردرمداران تولید تراشه‌ در دنیای فناوری در جریان همین کنفرانس اعلام کرد که نمی‌توان با استفاده از سیلیکون لیتوگرافی تراشه‌ها را به زیر ۷ نانومتر کاهش داد. ظاهرا اینتل برای توسعه‌ی تراشه‌های مبتنی بر لیتوگرافی زیر ۷ نانومتر از ایندیوم گالیوم آرسنیک استفاده خواهد کرد.

سامسونگ در سال‌های اخیر توجه ویژه‌ای را به بخش تولید تراشه‌های خود داشته و سرمایه‌گذاری بزرگی را در این حوزه انجام داده است. این کمپانی نسل بعدی پرچمدار خود، گلسی S6 را همراه با اکسینوس 7420 که براساس فرآیند توسعه‌ی FinFET و لیتوگرافی ۱۴ نانومتری توسعه یافته، روانه‌ی بازار خواهد کرد. سامسونگ بخش بزرگی از تراشه‌های مورد نیاز اپل را نیز در سال ۲۰۱۶ تولید خواهد کرد.

از سراسر وب

  دیدگاه
کاراکتر باقی مانده
تبلیغات

بیشتر بخوانید