آی‌بی‌ام نسل جدید حافظه‌ها با ۲۷۵ برابر سرعت‌ بیشتر نسبت به SSDها را معرفی کرد

آی‌بی‌ام نوع جدیدی از فناوری مرتبط با حافظه‌ها را به نمایش در آورده است که به اعتقاد این کمپانی می‌تواند جایگزین NANDها شود. دانشگاه پاتراس در یونان به آی‌بی‌ام کمک کرده است تا این فناوری را توسعه دهد. این فناوری پتانسیل آن را دارد تا تحولی در حافظه‌های ذخیره‌سازی ایجاد نماید.

درایوهای SSD فعلی از حافظه NAND بهره می‌برند. این نوع از حافظه‌ها جزء سریع‌ترین انواع حافظه‌های ذخیره‌سازی به شمار می‌روند؛ اما حالا آی‌بی‌ام نوع جدیدی از حافظه‌ها را به نمایش درآورده که به شکل خارق‌العاده‌ای سریع‌تر از NANDها قادر به انتقال اطلاعات هستند. در واقع آی‌بی‌ام با همکاری محققین دانشگاه پاتراس موفق شده است تا ترکیبی از تغییر فاز حافظه‌های NAND و DRAM را در یک کنترلر ایجاد کنند و نتیجه آن یک راه‌حل ذخیره‌سازی هیبریداسیون است که بین ۱۲ تا ۲۷۵ برابر سریع‌تر از بهترین حافظه‌های SSD مبتنی بر درگاه PCIe عمل می‌کند.

تغییر فاز حافظه یکی از روش‌های جایگزین برای ساختار حافظه است که پتانسیل جایگزینی NAND را دارند. تغییر فاز حافظه با گرما‌دادن سریع شیشه Chalcognide و تغییر حالت آن بین کریستال و بی‌شکل موجب می‌شود. در حالت بی‌شکل باینری ۰ با مقاومت بسیار بالا و در حالت کریستال باینری ۱ با مقاومت بسیار کم به وجود می‌آید. در این روش تغییر فاز حافظه با سرعت شگفت‌انگیزی انجام می‌شود. همچنین جالب است بدانید که تحقیقات اینتل و مایکرون نشان می‌دهد که در این حالت در هر سل می‌توان دو بیت از اطلاعات را ذخیره نمود.

Theseus1

در روش تغییر فاز، تأخیر به مراتب پایین‌تر از NANDها است و به همین دلیل سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات به شکل قابل ملاحظه‌ای افزایش می‌یابد.

آی‌بی‌ام نام Theseus را برای این پروژه انتخاب کرده است و امیدوار است در آینده بتواند این نوع از حافظه‌ها را جایگزین NANDها کند.

از سراسر وب

  دیدگاه
کاراکتر باقی مانده