سامسونگ تولید تراشه ۱۰ نانومتری حافظه فلش با ظرفیت ۶۴ گیگابایت را آغاز کرد

حافظه‌ ۱۰ نانومتری جدید سامسونگ ۲۰ درصد کوچک‌تر و ۳۰ درصد سریعتر از مدل ۲۰ نانومتری قبلی است.

اگر چه تنها چند ماه از استفاده سامسونگ از فناوری JEDEC MMC 4.5 می‌گذرد، اما سامسونگ قصد دارد تا از سال آینده از استاندارد جدید ۱۰ نانومتری برای تولید حافظه‌ ۶۴ گیگابایتی بهره ببرد. سرعت نوشتن اطلاعات در تراشه حافظه جدید سامسونگ 2,000 IOPS (ورودی / خروجی در هر ثانیه) و سرعت خواندن اطلاعات نیز در آن 5,000 IOPS (ورودی / خروجی در هر ثانیه) است. این در حالی است که سرعت نوشتن/خواندن اطلاعات در نسل قبلی تراشه‌های حافظه سامسونگ برابر 1,500/3,500 می‌باشد.

براساس گزارش‌های اعلام شده پهنای باند این حافظه‌ها نیز 260MB/s (مگابایت در ثانیه) در خواندن اطلاعات و 50MB/s در نوشتن اطلاعات است.

تولید این تراشه‌ها از اواسط ماه گذشته آغاز شده و قرار است به زودی در تبلت و تلفن‌های هوشمند باریک استفاده شوند. اما سامسونگ تاریخ دقیقی برای عرضه عمومی آنها اعلام نکرده است.